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    銦鎵砷 InGaAs 光電二極管模塊 800-1600nm ( PD/APD/TIA IRPD5521Y 型)  2020-05-27

    筱曉光子庫存備有各種有效面積和封裝的PIN結二極管(PD),包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。

    我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內具有高響應率,其探測波長超過典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管,它集成了上下緊貼在一起的兩個光電探測器(硅基底在上,銦鎵砷基底在下),組合波長范圍從400到1700 nm。

    為了豐富我們的光電二極管產品線,我們提供已安裝的光電二極管便于客戶供電即用,探測器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應,從而扭曲光電二極管的時域響應。因此,我們建議使光入射在有效面積中心。為此,可以在探測器前放置聚焦透鏡或者針孔。

    產品型號
    縱向   橫向
    型號 貨號 操作 名稱
    IRPD5521Y-1.25-P-T-PG E80040035
    IRPD5521Y 型 InGaAs 光電二極管模塊( PD/APD/TIA 光譜響應 800-1600nm)   [PDF] 光譜響應范圍 800-1600nm,速度 1.25Gbps,帶TIA,5Pin腳 價格 : ¥2000.00 庫存:1
    現貨
    產品特點

    ● 傳輸速率155Mbps/1.25Gbps/2.5Gbps

    ● 高靈敏度

    ● 工作波長范圍:1260~1650nm

    ● 單電源供電

    ● 遵循Telcordia Technoligies GR-468-CORE標準

    ● RoHS認證RoHS compliant

    技術參數

    參數名稱

    符號

    測試條件

    最小

    典型Typ.

    最大

    單位

    TIA工作電流

    ICC

    Vcc=3.3V

    -

    44

    59

    mA

    反向擊穿電壓1)

    VBR

    ID=100μA

    35

    -

    55

    V

    VBR溫度系數

    σ

    γ= dVBR/dTC

    -

    0.1

    0.15

    V/℃

    差分跨阻

    IRPD5521Y-155

    IRPD5521Y-1.25

    IRPD5521Y-2.5

     

     

    ZT

     

    Pin=-30dBm, RL=100Ω,

     

    54

    26

    3.6

    -3dB帶寬

    IRPD5521Y-155

    IRPD5521Y-1.25

    IRPD5521Y-2.5

     

     

    f-3dB

     

     

    Pin=-30dBm

    100

    1000

    2000

    MHz

    響應度

    Re

    M=1 , λ = 1.55μm

    0.85

    0.95

    -

    A/W

    輸出阻抗

    ZO

    Single ended

    -

    50

    70

    Ω

    靈敏度

    IRPD5521Y-155A

    IRPD5521Y-155P

    IRPD5521Y-1.25A

    IRPD5521Y-1.25P

    IRPD5521Y-2.5A

    IRPD5521Y-2.5P

    PS

     

    λ=1.55μm,NRZ, PRBS=223–1, BER=10-10,

    ER=10dB,

    V=Vop

    -47 -39 -35 -28 -34 -26

    dBm

    過載功率

    APD

    PIN

     

    PMAX

     

    -5

    +3

    -

    -

    dBm

    光回損

    Lo

    λ = 1.55μm

    -

    -

    -30

    dB

    備注:1)僅適用于APD探測器


    最大絕對額定值 T=25deg

    參數名稱

    符號

    額定值

    單位

    TIA電源電壓

    VCC

    5

    V

    APD反向電壓APD

    VAPD

    VBR

    V

    APD/PD反向電流

    Ir

    2

    mA

    APD/PD正向電流

    If

    2

    mA

    工作溫度范圍

    TC

    -40 ~ +85

    貯存溫度范圍

    TSTG

    -55 ~ +100

    通用參數

    fz.png

    引腳定義

    yj.png

    引腳編號

    引腳功能說明

    引出端符號

    1

    信號正輸出端

    Vout+

    2

    放大器電源

    VCC

    3

    偏置電壓

    VAPD

    4

    信號負輸出端

    Vout-

    5

    接地

    GND (case)


    yj1.png


    引腳編號

    引腳功能說明

    引出端符號

    1

    信號正輸出端

    Vout+

    2

    信號負輸出端

    Vout

    3

    接地

    -GND   (case)

    4

    放大器電源

    VCC


    注意事項

    a.嚴格按照引腳說明連接,輸出AC耦合時,差分負載應為100Ω

    b. 貯運、使用過程中必須采取適當的靜電防護措施。

    c.器件屬于高電壓工作器件,使用時應采取適當的設計和措施避免人體受到傷害。

    產品應用

    ● 無源光網絡與SDH/SONET傳輸系統

    ● 吉比特以太網與光纖信道

    ● 其它應用Other application

    訂購信息

    型號: IRPD5521Y-□□□□-☆-T-XX 

    速率□□□□:

    0155:155Mbps

    1.25:1.25Gbps

    2.5:2.5Gbps

    探測器類型☆:

    A: APD

    P: PD

    T: TIA

    封裝XX:

    PG:尾纖

    TO:TO封裝










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