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    銦鎵砷 InGaAs MP6514S型單光子陣列探測器組件 950~1650nm  2020-05-27

    MP6514S型探測器組件由4x4陣列規格InGaAs單光子雪崩光電二極管(SPAD)芯片、CMOS主被動淬滅電路芯片倒焊互連而成的探測器模塊與電壓逆變模塊、制冷模塊、信號控制模塊組成。在蓋革工作模式下,探測器組件各像元獨立、自由運行,探測0.95 ~ 1.65 μ m的近紅外波段范圍內微弱光信號,實時輸出TTL電信號。

    產品型號
    縱向   橫向
    型號 貨號 操作 名稱
    MP6514S E80040036 InGaAs單光子陣列探測器組件 950~1650nm   [PDF] 器件類型 InGaAs APD;工作波長 950~1650nm;陣列規模 4x4;像元大小 100μm x 100μm;光敏面大小 85μm x 85μm;石英光窗;探測效率 ≥10% (1.57+0.05μm) 8-10周
    產品特點

    ●光譜響應波段0.95 ~ 1.65μm  

    ●采用金屬封裝,器件質輕靈巧 

    ●像元獨立、自由運行 

    ●像元可探測弱光子信號 

    ●死時間、蓋革雪崩信號檢測閾值可調 

    技術參數

    探測器面陣規格


    性能描述

    器件類型

    InGaAs APD

    陣列規模

    4x4

    像元大小

    100μm x 100μm

    光敏面大小[1]

    85μm x 85μm

    光窗

    石英光窗

    感光靶面至光窗外表面間距

    4mm (光窗厚度為1mm )

    注[1]:單片集成微透鏡焦距150μm。


    主要性能指標(Tc=22+3℃)

    特性參數

    參數指標

    工作波長[1]

    0.95 ~ 1.65μm

    探測效率

    ≥10% ( 1.57   +0.05μm)

    暗計數率

    ≤10KHz

    時間抖動

    ≤500ps

    死時間

    100 ~ 1000ns可調

    有效像元率

    100%

    注[1]:在工作波長范圍內選配標準窄帶濾光片。

    絕對最大額定值

    參數

    額定值

    單位

    工作溫度范圍Tc

    -40~+55

    °C

    貯存溫度范圍TSTG

    -40~+70

    °C

    最大功耗P

    15

    W

    輸入偏置范圍VR

    4.95.5

    V

    靜電放電敏感度ESD

    1000~2000

    V

    質量可靠性保證

    ● 產品執行GJB8121-2013《半導體光電組件通用規范》相關要求。

    通用參數

    封裝外形結構與尺寸(單位: mm )

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    zj2.png

    電學接口

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    ●電源輸入: +5V

    ●數據輸出類型: TTL

    ●控制命令接口: J63A-31

    ●電源輸入接口類型: J30J

    ●數據輸出接口類型: J63A-31

    ●外觸發接口: SSMA

    接口編號

    功能

    1

    SSMA-1:內同步信號輸出

    2

    SSMA-2:外同步信號輸入

    3

    J63A-31:輸出信號端口及探測器工作設置輸入信號端口

    4

    J30J: +5V單電源供電

    產品應用

    ●透霧、霾、煙塵等測距

    ●近紅外激光告警

    ●遠距離激光測距

    ●遠距離空間激光通信










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