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    銦鎵砷 InGaAs 超大光敏面光電二極管(10mm ) 900-1700nm 近紅外波長  2021-09-01

    筱曉光子庫存備有各種有效面積和封裝的PIN結二極管(PD),包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。

    我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內具有高響應率,其探測波長超過典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管,它集成了上下緊貼在一起的兩個光電探測器(硅基底在上,銦鎵砷基底在下),組合波長范圍從400到1700 nm。

    為了豐富我們的光電二極管產品線,我們提供已安裝的光電二極管便于客戶供電即用,探測器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應,從而扭曲光電二極管的時域響應。因此,我們建議使光入射在有效面積中心。為此,可以在探測器前放置聚焦透鏡或者針孔。


    產品型號
    縱向   橫向
    型號 貨號 操作 名稱
    IRD-IGS-10 E80042060
    銦鎵砷 InGaAs 超大光敏面PIN光電二極管(900-1800nm,直徑10mm)   [PDF] 光譜響應范圍 900-1700nm;光敏面直徑 10mm;響應度@1550nm 0.95 A/W; 光敏材料 InGaAs;5 Pin腳 價格 : ¥26000.00 庫存:0
    現貨
    產品特點

    ● 10mm超大光敏面

    ● 900nm to 1700nm 光譜響應

    ● 高線性 > 10 dBm

    ● —正照平面型芯片結構 

    ● 光敏面積大、低暗電流


    通用參數

    技術參數

    特性參數

    符號

    測試條件

    最小

    典型

    最大

    單位

    光譜響應范圍

    λ

    900~1700

    nm

    光敏面直徑

    φ

    10

    mm

    響應度

     

    Re

    VR=5V,λ=1.31μm,φe=100μw

    0.85

    A/W

    VR=5V,λ=1.55μm,φe=100μw

    0.95

    響應時間

    tS

    VR=5V,RL=50Ω,f=2KHz

    8

    20

    μs

    總電容

    C

    VR=5V,f=1KHz

    3

    10

    nF

    暗電流

    ID

    VR=5V,φe=0

    25

    100

    nA

    分流阻抗

    Rsh

    VR=10mV

    10


    光譜響應曲線

    tu1.png

    封裝及尺寸

    tu2.png

    極限值

    參數名稱

    符號

    額定值

    單位

    工作溫度

    TC

    -40~+85

    貯存溫度

    TSTG

    -55~+125

    正向電流

    IF

    10

    mA

    反向電流

    IR

    5

    mA

    焊接溫度(時間)

    St

    260℃(10s)

    -


    產品應用

    ● 激光功率計

    ● LED/LD老化診斷

    ● 光譜學

    ● LED/LD特性

    ● 眼睛安全激光檢測傳感器










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