美國 EOT 高速光電探測器(InGaAs/Si/GaAs) 830/1300/2000nm-筱曉(上海)光子技術有限公司,MCT探測器,半導體激光二極管,中紅外QCL激光器,光纖放大器,光電探測器

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首頁/ 產品中心 / 光電探測器 / 其他光電探測器 / 美國 EOT 高速光電探測器(InGaAs/Si/GaAs) 830/1300/2000nm

EOT 太赫茲 VCSEL 光纖定制橫河光譜儀 TDLAS EDFA 觀察鏡干涉儀超快激光器

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美國 EOT 高速光電探測器(InGaAs/Si/GaAs) 830/1300/2000nm 2021-09-07

筱曉光子公司代理美國的EOT(Electro-Optics Technology)公司全線產品

EOT 的放大光電探測器()包含利用光伏效應將光功率轉換為電流的 PIN 光電二極管和允許測量<1 mW 輸入功率的固定增益跨阻放大器。當端接到示波器的 50 Ω 電阻時，可以測量激光的脈沖寬度。當端接到頻譜分析儀的 50 Ω 電阻時，可以測量激光器的頻率響應。

EOT 的放大光電探測器帶有自己的墻上插入式電源將同軸電纜插入光電探測器的 SMA 或 BNC 輸出連接器并在示波器或頻譜分析儀上端接 50 Ω 即可運行。

特征內置跨阻放大器,占地面積小,外墻插電電源,帶寬高達 10 GHz

選項,探測器材質,活動區,提供光纖耦合或自由空間選項

應用,監測高重復率、外部調制的連續激光器,查看<1 mW 的激光功率

產品型號 (以下22款為常用型號,其它型號請聯系客服)

縱向橫向

型號	貨號	操作	名稱	描述	材質	帶寬(Hz)
	ET-3010	E80040601	聯系客服	銦鎵砷 InGaAs ET-3010 光電探測器 >2 GHz 美國EOT [PDF]	材料：InGaAs 上升／下降時間：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ；響應度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；帶寬：＞２ＧＨｚ；有效面積直徑：１００ｕｍ；輸出連接：BNC	銦鎵砷 InGaAs	>2 GHz	8-10周
	ET-3000	E80040602	聯系客服	銦鎵砷 InGaAs ET-3000 InGaAs 銦鎵砷光電探測器 >2 GHz 美國EOT [PDF]	材料：銦鎵砷上升／下降時間：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ；響應度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；帶寬：＞２ＧＨｚ；有效面積直徑：１００ｕｍ；輸出連接：BNC	銦鎵砷 InGaAs	>2 GHz	8-10周
	ET-2070	E80040615	聯系客服	硅 Silicon ET-2070 - 硅光電探測器 >118 MHz 美國EOT [PDF]	材料：Silicon 上升／下降時間：＜３ｎｓ／＜３ｎｓ；響應度：０．５６Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；帶寬：＞１１８ＭＨｚ；有效面積直徑：２．５５ｍｍ；輸出連接：BNC	硅 Silicon	118 MHz	8-10周
	ET-2060	E80040616	聯系客服	硅 Silicon ET-2060 - 硅光電探測器 >1.1 GHz 美國EOT [PDF]	材料：Silicon 上升／下降時間：＜３２０ｐｓ／＜３２０ｐｓ；響應度：０．４７Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；帶寬：＞１．１ＧＨｚ；有效面積直徑：０．４ｍｍ；輸出連接：BNC	硅 Silicon	>1.1 GHz	8-10周
	ET-2040	E80040617	聯系客服	硅 Silicon ET-2040 硅光電探測器＞25MＨz 美國EOT [PDF]	材料：Silicon 上升／下降時間：＜３０nｓ／＜３０nｓ；響應度：０.６Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；帶寬：＞２５ＭＨｚ；有效面積直徑：４.５７ｍｍ；輸出連接：BNC	硅 Silicon	>25 MHz	8-10周
	ET-5000F	E80040603	聯系客服	銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-5000F, >10 GHz 美國EOT [PDF]	材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ；響應度：0.9Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ；帶寬：＞１０ＧＨｚ；有效面積直徑：４０ｕｍ；輸出連接：ＳＭＡ光纖連接,FC/UPC	銦鎵砷 InGaAs	＞10 GHz	8-10周
	ET-5000	E80040604	聯系客服	銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-5000, >10 GHz 美國EOT [PDF]	材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ；響應度：１．３Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ；帶寬：＞１０ＧＨｚ；有效面積直徑：４０ｕｍ；輸出連接：ＳＭＡ光纖連接,不適用	銦鎵砷 InGaAs	＞10 GHz	8-10周
	ET-4000F	E80040605	聯系客服	砷化鎵 GaAs 高速光電探測器 ET-4000F, >12.5 GHz 美國EOT [PDF]	材料：GaAs 上升／下降時間：＜３０pｓ／＜３０ｐｓ；響應度：０.３８Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；帶寬：＞１２．５ＧＨｚ；有效面積直徑：６０ｕｍ；輸出連接：ＳＭＡ光纖連接 FC/UPC、SMF28e	銦鎵砷 InGaAs	＞12.5 GHz	8-10周
	ET-4000	E80040620	聯系客服	砷化鎵 GaAs 高速光電探測器 ET-4000, >12.5 GHz 美國EOT [PDF]	材料：GaAs 上升／下降時間：＜３０pｓ／＜３０ｐｓ；響應度：０.５３Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；帶寬：＞１２．５ＧＨｚ；有效面積直徑：６０ｕｍ；輸出連接：ＳＭＡ光纖連接c 不適用	砷化鎵 GaAs	＞12.5 GHz	8-10周
	ET-3600F	E80040606	聯系客服	銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-3600F, >22 GHz 美國EOT [PDF]	材料：InGaAs 上升／下降時間：＜16pｓ／＜16ｐｓ；響應度：０.7Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；帶寬：＞22ＧＨｚ；有效面積直徑：20ｕｍ；輸出連接：ＳＭＡ光纖連接 FC/UPC、SMF28e	銦鎵砷 InGaAs	>22 GHz	8-10周
	ET-3600	E80040607	聯系客服	銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-3600, >22 GHz 美國EOT [PDF]	材料：InGaAs 上升／下降時間：＜16pｓ／＜16ｐｓ；響應度：０.7Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；帶寬：＞22ＧＨｚ；有效面積直徑：20ｕｍ；輸出連接：ＳＭＡ光纖連接不適用	銦鎵砷 InGaAs	>22 GHz	8-10周
	ET-3500F	E80040608	聯系客服	銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-3500F, >15 GHz 美國EOT [PDF]	材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ；響應度：０.６５Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；帶寬：＞１５ＧＨｚ；有效面積直徑：３２ｕｍ；輸出連接：ＳＭＡ光纖連接 FC/UPC,SMF28e	銦鎵砷 InGaAs	＞15 GHz	8-10周
	ET-3500AF	E80040609	聯系客服	銦鎵砷 InGaAs 帶放大光電探測器 ET-3500AF 美國EOT [PDF]	材料：InGaAs 上升／下降時間：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ；轉換增益：1620 V/W ＠1310 nm 帶寬：20 kHz to 10 GHz 有效面積直徑：３２ｕｍ；輸出連接：ＳＭＡ	銦鎵砷 InGaAs	20 kHz-10 GHz	8-10周
	ET-4000AF	E80040621	聯系客服	砷化鎵 GaAs 帶放大光電探測器 ET-4000AF美國EOT [PDF]	材料：GaAs 上升／下降時間：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ；轉換增益：９７０V/W ＠ 850 nm 帶寬：20 kHz to 10 GHz 有效面積直徑：６０ｕｍ；輸出連接：ＳＭＡ	砷化鎵 GaAs	20 kHz-10 GHz	8-10周
	ET-5000AF	E80040610	聯系客服	銦鎵砷 InGaAs 帶放大光電探測器 ET-5000AF 砷化鎵 [PDF]	材料：InGaAs 上升／下降時間：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ；轉換增益：２３５０ V/W ＠2000 nm 帶寬：20 kHz to 10 GHz 有效面積直徑：４０ｕｍ；輸出連接：ＳＭＡ	銦鎵砷 InGaAs	20 kHz-10 GHz	8-10周
	ET-4000A	E80040622	聯系客服	砷化鎵 GaAs 帶放大光電探測器 ET-4000A 美國EOT [PDF]	材料：GaAs 上升／下降時間：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ；轉換增益：1340 V/W ＠ 850 nm 帶寬：20 kHz to 10 GHz 有效面積直徑：６０ｕｍ；輸出連接：ＳＭＡ	砷化鎵 GaAs	20 kHz-10 GHz	8-10周
	ET-5000A	E80040611	聯系客服	銦鎵砷 InGaAs 帶放大光電探測器 ET-5000A 10 GHz 美國EOT [PDF]	材料：InGaAs 上升／下降時間：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ；轉換增益：3250 V/W ＠2000 nm 帶寬：20 kHz to 10 GHz 有效面積直徑：４０ｕｍ；輸出連接：ＳＭＡ	銦鎵砷 InGaAs	20 kHz-10 GHz	8-10周
	ET-3500A	E80040612	聯系客服	銦鎵砷 InGaAs 帶放大光電探測器 ET-3500A 美國EOT [PDF]	材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ；響應度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；帶寬：＞１５ＧＨｚ；有效面積直徑：３２ｕｍ；輸出連接：ＳＭＡ	銦鎵砷 InGaAs	＞15 GHz	8-10周
	ET-3000A	E80040613	聯系客服	銦鎵砷 InGaAs 放大光電探測器 ET-3000A 美國EOT [PDF]	材料：InGaAs 上升／下降時間：＜４００pｓ／＜４００ｐｓ；轉換增益：900 V/W ＠1300 nm 帶寬：30 kHz to １.５GHz 有效面積直徑：１００ｕｍ；輸出連接：ＢＮＣ	銦鎵砷 InGaAs	30 kHz-１.５GHz	8-10周
	ET-2030A	E80040618	聯系客服	硅 Silicon 帶放大高速光電探測器 ET-2030A 美國EOT [PDF]	材料：Silicon硅上升／下降時間：＜５００pｓ／＜５００ｐｓ；轉換增益：450 V/W ＠830 nm 帶寬：30 kHz to 1.2 GHz 有效面積直徑：４００ｕｍ；輸出連接：ＢＮＣ	硅 Silicon	30 kHz-１.2 GHz	8-10周
	ET-3500	E80040614	聯系客服	銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-3500, >15 GHz 美國EOT [PDF]	材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ；響應度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；帶寬：＞１５ＧＨｚ；有效面積直徑：３２ｕｍ；輸出連接：ＳＭＡ光纖連接不適用	銦鎵砷 InGaAs	＞15 GHz	8-10周
	ET-2030	E80040619	聯系客服	硅 Silicon ET-2030 高速硅光電探測器＞１.２ＧＨｚ美國EOT [PDF]	材料：Silicon 上升／下降時間：＜３００ｐｓ／＜３００ｐｓ；響應度：０.４７Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；帶寬：＞１.２ＧＨｚ；有效面積直徑：０.４ｍｍ；輸出連接：BNC	硅 Silicon	>1.2 GHz	8-10周

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