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    硅 Si 高性能雪崩光電二極管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18  2021-09-07

    C30902EH高性能硅雪崩光電二極管(APD)的感光面直徑為0.5 mm,適合于生物醫學和分析應用。 這種Si APD設計為雙擴散“穿透式”結構,可在400和1000 nm之間提供高響應度,以及在所有波長處都極快的上升和下降時間。

    器件的響應度與最高約800 MHz的調制頻率無關。探測器芯片采用經過修改的TO-18封裝,密封在平玻璃窗后面。


    產品型號
    縱向   橫向
    型號 貨號 操作 名稱
    C30902EH E80040084 硅 Si 高性能雪崩光電二極管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18   [PDF] 感光面積:0.2mm2 感光直徑:0.5mm 擊穿電壓:225V 結電容:1.6pF 暗電流:15nA 增益:150 噪聲電流:0.23pA/√Hz 封裝:TO-18,平面窗口 峰值靈敏度波長:830 nm 響應時間: 響應度: 在830 nm為77 A/W 在900 nm處為65 A/W 上升/下降時間:0.5ns 溫度系數:0.7V/°C 波長:400-1100nm 8-10周









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