砷化銦 InAs光伏探測器 3.35μm
[PDF]
|
P10090-01
E80040103
庫存:0
|
峰值波長λp:3.35μm
截止波長λc:3.65μm
光靈敏度:1.0A/W
峰值探測率D*:4.5 × 109(cm·Hz1/2/W)
NEP:1.5 × 10-11(W/Hz1/2)
TO-5封裝
,貨期:8-10周
|
光譜響應:
3.35um 材質:
砷化銦 InAs |
¥0
|
2-5.5μm紅外兩級TE冷卻InAs光浸式光伏探測器 PVIA-2TE系列
[PDF]
|
PVIA-2TE-3-1×1-TO8-wAl2O3-36
E80040159
庫存:0
|
響應波長范圍 2-5.5μm;峰值波長 2.9μm;相對響應強度 ≥5×10^11 cm?Hz^(1/2)/w@2.9μm;光敏面積 1×1mm^2; ,貨期:6-8 周
|
光譜響應:
2.0-5.5um 材質:
砷化銦 InAs |
¥0
|
InAs 和 InAsSb 光伏探測器 紅外非冷卻非浸沒 2.15-3.5μm
[PDF]
|
PVA-3-0.1×0.1-TO39-NW-90
E80040158
庫存:0
|
響應波長范圍 2.15-3.5μm;峰值波長 2.95μm;相對響應強度≥5×10^9 cm?Hz^(1/2)/w@2.95μm;光敏面積 0.1×0.1mm^2; ,貨期:6-8 周
|
光譜響應:
2.15-3.5um 材質:
砷化銦 InAs |
¥0
|
2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式 InAs 砷化銦 光伏探測器 PVIA系列
[PDF]
|
PVIA-3-1×1-TO39-NW-36
E80040157
庫存:0
|
響應波長范圍 2.15-3.5μm;峰值波長 2.95μm;相對響應強度≥5×10^10 cm?Hz^(1/2)/w@2.95μm;光敏面積 1×1mm^2; ,貨期:6-8 周
|
光譜響應:
2.15-3.5um 材質:
砷化銦 InAs |
¥0
|
2-5.5μm紅外兩級TE冷卻InAs光伏探測器 PVA-2TE系列
[PDF]
|
PVA-2TE-3-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-70
E80040160
庫存:0
|
響應波長范圍 2-5.5μm;峰值波長 2.9μm;相對響應強度≥5×10^10 cm?Hz^(1/2)/w@2.9μm;光敏面積0.1×0.1mm^2; ,貨期:6-8 周
|
光譜響應:
2.0-5.5um 材質:
砷化銦 InAs |
¥0
|