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    127



    InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管(內置TEC制冷型)  2022-05-11

    InGaAs 雪崩光電二極管(APD)是短波近紅外單 光子檢測的專用器件,可滿足量子通信、弱光探測等領 域對高效率低噪聲單光子檢測的技術需求,實現對0.9 ~ 1.7μm波長的單光子探測。

    產品型號
    縱向   橫向
    型號 貨號 操作 名稱
    IGA-APD-GM104-R-TEC E80042039
    InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (內置TEC制冷型)   [PDF] 光譜響應范圍0.9~1.7μm;響應度 @1550nm: 0.85 A/W; 6針TO8 封裝;SMF-28E 光纖耦合;FC/APC, 帶 TCE 價格 : ¥35000.00 庫存:1
    3-4 周
    產品特點

    ● 光譜響應范圍0.9~1.7μm 

    ● 高探測效率、低暗計數率 

    ● 6 pin TO8

    技術參數

    線性模式參數

    產品型號

    IGA-APD-GM104-TEC

    參數

    符號

    單位

    測試條件

    最小

    典型

    最大

    反向擊穿電壓

    VBR

    V

    22℃±3℃ ,ID =10μA

    60

    80

    90

    響應度

    Re

    A/W

    22℃±3℃,λ =1550nm ,M =1

    0.8

    0.85


    暗電流

    ID

    nA

    22℃±3℃,M =10


    0.1

    0.3

    電容

    C

    pF

    22℃±3℃ ,M =10, f=1MHz



    0.25

    擊穿電壓溫度系數

    η

    V/K

    -40℃ ~80℃,ID =10μA



    0.15


    蓋革模式參數

    參數

    單位

    測試條件

    最小

    典型

    最大

    單光子探測效率 PDE

    %

    -45℃ ,λ =1550nm ,0.1ph/pulse,泊松分布單光子源

    20



    暗計數率 DCR

     

    kHz

    -45℃,1ns門寬,2MHz門控重頻,1MHz光重頻,PDE=20%



     

    20*

    后脈沖概率 APP


    -45℃,1ns門寬,2MHz門控重頻,1MHz光重頻,PDE=20%



    1× 10-3

    時間抖動Tj

    ps

    -45℃,1ns 門寬,2MHz門控重頻,PDE=20%



    100

    * 可提供不同等級規格產品


    室溫IV曲線

    BPD2.png

    DCR-PDE(-45℃, fg=2MHz)

    BPD3.png

    溫度系數

    BPD4.png

    電容電壓

    BPD5.png

    尺寸規格

    封裝外形、尺寸及引腳定義 TO8 (尾纖封裝)

    BPD6.png


    產品應用

    ● 弱光探測 

    ● 量子保密通信 

    ● 生物醫療










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